参数资料
型号: IDT709289L9PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/15页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1M (64K x 16)
速度: 9ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 709289L9PF8
IDT709289L
High-Speed 64K x 16 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Read Cycle for
Flow-Through Output ( FT /PIPE "X" = V IL ) (3,7)
t CYC1
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
(4)
UB , LB
t SB
t HB
R/ W
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS
(5)
An
t CD1
An + 1
t DC
An + 2
An + 3
t CKHZ (1)
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2
t CKLZ
(1)
t OHZ
(1)
t OLZ
(1)
t DC
OE
(2)
t OE
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( FT /PIPE "X" = V IH ) (3,7)
t CYC2
4842 drw 07
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(4)
CE 1
UB , LB
R/ W
t SB
t SW
t HB
t HW
t SB
(6)
t HB
t SA
t HA
(5)
ADDRESS
An
(1 Latency)
An + 1
t CD2
An + 2
t DC
An + 3
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2
(6)
t CKLZ
(1)
t OHZ
(1)
t OLZ
(1)
OE
(2)
t OE
NOTES:
4842 drw 08
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
3. ADS = V IL , CNTEN and CNTRST = V IH .
4. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , UB = V IH , or LB = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to Truth Table 1.
5. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
6. If UB or LB was HIGH, then the Upper Byte and/or Lower Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
7. "X" here denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
8
6.42
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IDT709099L9PF8 IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP
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参数描述
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IDT709349L6PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI