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参数资料
| 型号： | IDT709359L6PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 6NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709359L6PF |
IDT709359/49L
High-Speed 8/4K x 18 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
Names
Chip Enables (3)
Read/Write Enable
Output Enable
A 0L - A 12L
(1)
A 0R - A 12R
(1)
Address
I/O 0L - I/O 17L
CLK L
UB L
LB L
I/O 0R - I/O 17R
CLK R
UB R
LB R
Data Input/Output
Clock
Upper Byte Select (2)
Lower Byte Select (2)
ADS L
CNTEN L
CNTRST L
FT /PIPE L
ADS R
CNTEN R
CNTRST R
FT /PIPE R
V CC
GND
Address Strobe
Counter Enable
Counter Reset
Flow-Through/Pipeline
Power (5V)
Ground (0V)
NOTES:
1. A 12 is a NC for IDT709349.
2. LB and UB are single buffered regardless of state of FT /PIPE.
3. CE o and CE 1 are single buffered when FT /PIPE = V IL ,
CE o and CE 1 are double buffered when FT /PIPE = V IH ,
i.e. the signals take two cycles to deselect.
5633 tbl 01
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE 0 (5)
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1 (5)
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB (4)
X
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB (4)
X
X
H
H
L
L
H
L
L
X
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
Upper Byte
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
Lower B yte
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected —Power Down
Deselected —Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTES:
5633 tbl 02
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. ADS , CNTEN , CNTRST = X.
3. OE is an asynchronous input signa
4. LB and UB are single buffered regardless of state of FT /PIPE.
5. CE o and CE 1 are single buffered when FT /PIPE = V IL . CE o and CE 1 are double buffered when FT /PIPE = V IH , i.e. the signals take two cycles to deselect.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT709169L7PFI | IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP |
| IDT709169L6PF | IC SRAM 144KBIT 6NS 100TQFP |
| IDT70V9369L7PFI8 | IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP |
| IDT70V9369L6PF8 | IC SRAM 288KBIT 6NS 100TQFP |
| IDT70V9079L6PFG8 | IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT709359L7BFI | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709359L7PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT709359L7PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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