参数资料
型号: IDT709359L7PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 144K(8K x 18)
速度: 7ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 709359L7PFI
IDT709359/49L
High-Speed 8/4K x 18 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Read Cycle for
Flow-Through Output ( FT /PIPE "X" = V IL ) (3,7)
t CYC1
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
UB , LB
t SB
t HB
R/ W
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS
(5)
An
t CD1
An + 1
t DC
An + 2
An + 3
t CKHZ (1)
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2
t CKLZ
(1)
t OHZ
(1)
t OLZ
(1)
t DC
OE
(2)
t OE
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( FT /PIPE "X" = V IH ) (3,7)
t CYC2
5633 drw 07
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(4)
CE 1
UB , LB
R/ W
t SB
t SW
t HB
t HW
t SB
(6)
t HB
t SA
t HA
(5)
ADDRESS
An
(1 Latency)
An + 1
t CD2
An + 2
t DC
An + 3
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2
(6)
t CKLZ
(1)
t OHZ
(1)
t OLZ
(1)
OE
(2)
t OE
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
3. ADS = V IL , CNTEN and CNTRST = V IH .
4. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , following the next rising edge of the clock. Refer to Truth Table 1.
5. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
6. If UB or LB was HIGH, then the Upper Byte and/or Lower Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
7. "X" here denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
9
6.42
5633 drw 08
相关PDF资料
PDF描述
IDT709359L6PF IC SRAM 144KBIT 6NS 100TQFP
IDT709169L7PFI IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP
IDT709169L6PF IC SRAM 144KBIT 6NS 100TQFP
IDT70V9369L7PFI8 IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP
IDT70V9369L6PF8 IC SRAM 288KBIT 6NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT709359L7PFI8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709359L9BF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 9NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709359L9PF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT709359L9PF8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT709369L12PF 功能描述:IC SRAM 288KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8