- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4022 > IDT70P258L55BYGI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70P258L55BYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（6x6） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P258L55BYGI 800-1375 |
IDT70P258/248L
Low Power 1.8V 8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Read with BUSY (2,4,5) (M/ S = V IH )
t WC
Industrial Temperature Range
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
t BAA
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT "B"
t DDD (3)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (slave).
2. CE L = CE R = V IL .
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V SS (slave), BUSY is an input. Then for this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown above.
5. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either the left or right Port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Slave Write (M/ S = V IL )
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
t WH (1)
R/ W "B"
(2)
5675 drw 11 ,
NOTES :
1. t WH must be met for both BUSY input (slave) and output (master).
2. Busy is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the “slave” version.
14
6.42
t BDA
t BDD
VALID
5675 drw 10
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC26DTES | CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET |
| HSM25DREF | CONN EDGECARD 50POS .156 EYELET |
| FMC44DRYS-S734 | CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD |
| FMM43DRKH-S13 | CONN EDGECARD 86POS .156 EXTEND |
| FMC44DRYN-S93 | CONN EDGECARD 88POS .100 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70P258L55BYGI8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70P258L55BYI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70P258L55BYI8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70P259L65BYGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 65NS 100FPBGA |
| IDT70P259L65BYGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 65NS 100FPBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。