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参数资料
| 型号： | IDT70P5258ML55BZGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70P5258ML55BZGI |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Absolute Maximum Ratings (1)
Preliminary
Industrial Temperature Range
S y m b o l
V T E R M
V T E R M
V T E R M ( 2 )
R a t i n g
S u p p l y V o l t a g e o n V DD
w i t h R e s p e c t t o G N D
S u p p l y V o l t a g e o n V DDQ
w i t h R e s p e c t t o G N D
T e r m i n a l V o l t a g e
w i t h R e s p e c t t o G N D
I n d u s t r i a l
- 0 . 5 t o + 2 . 9
- 0 . 5 t o + 3 . 6
- 0 . 5 t o V DD + 0 . 3 ( 4 )
U n i t
V
V
V
T B I A S ( 3 )
T S T G
T J N
T e m p e r a t u r e U n d e r B i a s
S t o r a g e T e m p e r a t u r e
J u n c t i o n T e m p e r a t u e
- 5 5 t o + 1 2 5
- 6 5 t o + 1 5 0
+ 1 5 0
o
o
o
C
C
C
I O U T
( f o r 7 0 V 5 2 5 )
I O U T
( f o r 7 0 P 5 2 5
a n d 7 0 P 5 2 5 8 )
D C O u t p u t C u r r e n t
D C O u t p u t C u r r e n t
5 0
2 0
m A
m A
5 6 8 1 t b l 0 5
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD + 10% for Port 1 or V DDQ + 10% for Port 2 and Port 3 for more than
25% of the cycle time or 10ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD
+ 10% (Port 1) or V DDQ + 10% (Port 2 and Port 3).
3. Ambient Temperature under DC Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
4. V DDQ + 0.3V for 70P5258.
Recommended DC Operating Conditions
Symbol
Device
Port
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
70P5258
1.7
1.8
1.9
V DD
70P525
All
Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
70V525
2.7
3
3.3
70P5258
Port 2 & 3
2.7
3
3.3
V DDQ
70P525
N/A
I/O Supply Voltage (1)
____
____
____
V
70V525
N/A
____
____
____
V SS
All
All
Ground
0
0
0
V
Port 1
1.2
____
V DD +0.2
70P5258
V IH
Port 2 & 3
Input High Voltage
2
____
V DDQ +0.2
V
70P525
70V525
All
All
Port 1
1.2
2
-0.2
____
____
____
V DD +0.2
V DD +0.2
0.4
70P5258
V IL
Port 2 & 3
Input Low Voltage
-0.2
____
0.6
V
70P525
70V525
All
All
-0.2
-0.2
____
____
0.4
0.6
5681 tbl 02
NOTES:
1. The supply voltage for all ports on the IDT70P525 and IDT70V525 is supplied by V DD so there are no V DDQ pins
on these devices.
2. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
3. V TERM must not exceed V DD + 10% for Port 1 or V DDQ + 10% for Port 2 and Port 3.
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6.42
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