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参数资料
| 型号： | IDT70T3319S133BFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3319S133BFI |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Depth and Width Expansion
The IDT70T3339/19/99 features dual chip enables (refer to Truth
Table I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no
requirements for external logic. Figure 4 illustrates how to control the
various chip enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70T3339/19/99 can also be used in applications requiring
expanded width, as indicated in Figure 4. Through combining the control
signals, the devices can be grouped as necessary to accommodate
applications needing 36-bits or wider.
A 19 /A 18/ A 17(1)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
IDT70T3339/19/99
CE 0
IDT70T3339/19/99
CE 0
Control Inputs
CE 1
V DD
Control Inputs
CE 1
V DD
IDT70T3339/19/99
CE 1
IDT70T3339/19/99
CE 1
Control Inputs
CE 0
Control Inputs
CE 0
UB , LB ,
R/ W ,
OE ,
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70T3339/19/99
5652 drw 23
NOTE:
1. A 19 is for IDT70T3339, A 18 is for IDT70T3319, A 17 is for IDT70T3399.
23
6.42
CLK,
ADS ,
REPEAT ,
CNTEN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3319S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133DD | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70T3319S133DDI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70T3319S166BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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