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参数资料
| 型号： | IDT70T3319S166DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3319S166DD |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Left Port Write to Pipelined Right Port Read (1,2,4)
CLK "A"
R/ W "A
"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "A"
DATA IN"A"
MATC
H
t SD t HD
VALID
NO
MATC
H
t CO (3)
CLK "B"
t CD2
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "B"
DATA OUT"B"
MATC
H
NO
MATCH
VALID
NOTES:
t DC
5652 drw 09
,
1. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for Port "B", which is being read from. OE = V IH for Port "A", which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then data from Port "B" read is not valid until following Port "B" clock cycle (ie, time from write to valid read on opposite port will be
t CO + 2 t CYC2 + t CD2 ). If t CO > minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle (ie, time from write to valid read on opposite port
will be t CO + t CYC2 + t CD2 ).
4. All timing is the same for Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A"
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (1,2,4)
CLK "A"
t SW t HW
R/ W "A"
t SA
t HA
ADDRESS "A"
DATA IN "A"
MATCH
t SD
t HD
VALID
t CO
(3)
NO
MATCH
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "B"
MATCH
NO
MATCH
t CD1
NOTES:
DATA OUT "B"
t DC
VALID
t DC
VALID
5652 drw 10
,
1. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then data from Port "B" read is not valid until following Port "B" clock cycle (i.e., time from write to valid read on opposite port will be
t CO + t CYC + t CD1 ). If t CO > minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle (i.e., time from write to valid read on opposite port will
be t CO + t CD1 ).
4. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
14
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3319S200BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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