- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3956 > IDT70T3339S200BC8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3339S200BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3339S200BC8 |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Description:
The IDT70T3339/19/99 is a high-speed 512/256/128k x 18 bit
synchronous Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port
memory cells to allow simultaneous access of any address from both ports.
Registers on control, data, and address inputs provide minimal setup and
hold times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
Industrial and Commercial Temperature Ranges
tional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The IDT70T3339/19/99 can support an operating voltage of either
3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
IDT70T3339/19/99 has been optimized for applications having unidirec-
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3339S133BFI8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| KMPC8349ECZUAJDB | IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA |
| IDT70T3339S133BCI8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| 0522710769 | CONN FFC 7POS 1MM R/A SMD ZIF |
| KMPC8349EVVALFB | IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3339S200BCG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BC | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BCI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。