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参数资料
| 型号： | IDT70T3399S133BCI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 2M（128K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3399S133BCI8 |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Pin Configurations(con't) (3,4,5,6,9)
01/13/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
I/O 9L
NC
INT L
V SS
V SS
COL L
TDO
TDI
NC
A 17L(2)
A 16L
A 13L
A 12L
A 9L
A 8L
NC
NC
CE 0L
V DD
V SS
CLK L
ADS L
CNTEN L
A 5L
A 4L
A 1L
A 0L
NC
OPT L
V DDQR
NC
I/O 8L
V SS
NC
A
B
V DDQL
I/O 9R
V DDQR PIPE/ FT L A 18L(1)
A 14L
A 10L
UB L
CE 1L
V SS
R/ W L
A 6L
A 2L
V DD
I/O 8R
NC
V SS
C
NC
V SS
I/O 10L
NC
A 15L
A 11L
A 7L
LB L
V DD
OE L REPEAT L
A 3L
V DD
NC
V DDQL
I/O 7L
I/O 7R
D
I/O 11L
NC
V DDQR I/O 10R
I/O 6L
NC
V SS
NC
E
V DDQL I/O 11R
NC
V SS
V SS
I/O 6R
NC
V DDQR
F
NC
V SS
I/O 12L
NC
NC
V DDQL
I/O 5L
NC
G
V DD
NC
V DDQR I/O 12R
70T3339/19/99BF
V DD
NC
V SS
I/O 5R
H
V DDQL
I/O 14R
NC
V DDQL
NC
V DD
V SS
I/O 14L
NC
V SS
V SS
I/O 13R
V DDQR
I/O 15R
NC
ZZ R
V SS
I/O 13L
V SS
I/O 15L
BF-208 (7)
208-Pin fpBGA
Top View (8)
ZZ L
I/O 3R
NC
V SS
I/O 1R
V DD
V DDQL
I/O 3L
NC
V DDQL
V SS
I/O 4R
V SS
I/O 2R
NC
V DDQR
V SS
I/O 4L
V DDQR
I/O 2L
J
K
L
M
N
I/O 16R
I/O 16L
V DDQR COL R
TRST
A 16R
A 12R
A 8R
NC
V DD
CLK R CNTEN R
A 4R
NC
I/O 1L
V SS
NC
P
V SS
NC
NC
I/O 17L
I/O 17R
V DDQL
TCK
TMS
A 17R(2)
A 18R(1)
A 13R
A 14R
A 9R
A 10R
NC
UB R
CE 0R
CE 1R
V SS
V SS
ADS R
R/ W R
A 5R
A 6R
A 1R
A 2R
NC
V SS
V DDQL
NC
I/O 0R
V SS
V DDQR
NC
R
T
V SS
INT R
PIPE/ FT R
NC
A 15R
A 11R
A 7R
LB R
V DD
OE R REPEAT R
A 3R
A 0R
V DD
OPT R
NC
I/O 0L
U
5652 drw 02c
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3319 and IDT70T3399.
2. Pin is a NC for IDT70T3399.
3. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Pins B14 and R14 will be V REFL and V REFR respectively for future HSTL device.
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70T3399S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BFI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3399S133DD | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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