参数资料
型号: IDT70T3399S166BC
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 2M(128K x 18)
速度: 166MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 托盘
其它名称: 70T3399S166BC
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Maximum Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Ambient
Grade
Commercial
Industrial
NOTES:
Temperature
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
V DD
2.5V + 100mV
2.5V + 100mV
5652 tbl 04
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 2.5V
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage (3)
Ground
Min.
2.4
2.4
0
Typ.
2.5
2.5
0
Max.
2.6
2.6
0
Unit
V
V
V
Input High Volltage
V IH
(Address, Control &
1.7
____
V DDQ + 100mV (2)
V
Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
-0.3
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
(1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.7
0.2
V
V
V
NOTES:
5652 tbl 05a
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT
pin for that port must be set to V ss (0V), and V DDQX for that port must be supplied as
indicated above.
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 3.3V
Symbol
V DD
Parameter
Core Supply Voltage
Min.
2.4
Typ.
2.5
Max.
2.6
Unit
V
V DDQ
V SS
I/O Supply Voltage
Ground
(3)
3.15
0
3.3
0
3.45
0
V
V
Input High Voltage
V IH
(Address, Control
2.0
____
V DDQ + 150mV (2)
V
&Data I/O Inputs) (3)
V IH
Input High Voltage
JTAG
_
1.7
____
V DD + 100mV (2)
V
V IH
V IL
V IL
Input High Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
Input Low Voltage
Input Low Voltage -
ZZ, OPT, PIPE/ FT
V DD - 0.2V
-0.3 (1)
-0.3 (1)
____
____
____
V DD + 100mV (2)
0.8
0.2
V
V
V
NOTES:
5652 tbl 05b
1. V IL (min.) = -1.0V for pulse width less than t CYC /2, or 5ns, whichever is less.
2. V IH (max.) = V DDQ + 1.0V for pulse width less than t CYC /2 or 5ns, whichever is less.
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the OPT
pin for that port must be set to V DD (2.5V), and V DDQX for that port must be supplied
as indicated above.
7
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V658S15BC IC SRAM 2MBIT 15NS 256BGA
IDT70V639S15BC IC SRAM 2.25MBIT 15NS 256BGA
IDT70V658S15BF IC SRAM 2MBIT 15NS 208FBGA
IDT70V639S15BF IC SRAM 2.25MBIT 15NS 208FBGA
ASM44DREF CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3399S166BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S166BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S166BF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3399S166DD 功能描述:IC SRAM 2MBIT 166MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT70T3399S200BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)