- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3950 > IDT70T3519S133BFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3519S133BFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 20/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3519S133BFI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of Interrupt Timing
CLK L
(2)
R/ W L
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS L (3)
3FFFF
t SC
t HC
CE L (1)
t INS
INT R
CLK R
CE R (1)
R/ W R
t SC
t SW
t SA
t HC
t HW
t HA
t INR
ADDRESS R (3)
NOTES:
1. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH
3FFFF
5666 drw 19
2. All timing is the same for Left and Right ports.
3. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
Truth Table III — Interrupt Flag (1)
Left Port
Right Port
R/ W R
CLK L
R/ W L
(2)
CE L
(2)
A 17L -A 0L
(3,4,5)
INT L
CLK R
(2)
CE R (2)
A 17R -A 0R (3,4,5)
INT R
Function
↑
↑
↑
↑
L
X
X
H
L
X
X
L
3FFFF
X
X
3FFFE
X
X
L
H
↑
↑
↑
↑
X
H
L
X
X
L
L
X
X
3FFFF
3FFFE
X
L
H
X
X
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. INT L and INT R must be initialized at power-up by Resetting the flags.
2. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . R/ W and CE are synchronous with respect to the clock and need valid set-up and hold times.
3. A17 X is a NC for IDT70T3599, therefore Interrupt Addresses are 1FFFF and 1FFFE.
4. A17 X and A16 X are NC's for IDT70T3589, therefore Interrupt Addresses are FFFF and FFFE.
5. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
20
6.42
5666 tbl 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC8641VU1000NC | IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA |
| IDT70T3519S133BFGI | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| IDT70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| MC8641VU1000NB | IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA |
| IDT70T651S12BCI | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133DR | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133DRI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S166BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。