- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3948 > IDT70T3519S166DR (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3519S166DR |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3519S166DR |
第1页第2页第3页第4页当前第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Pin Configuration
02/03/14
(3,4,5,6)
(con't.)
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
I/O 19L I/O 18L
V SS
TDO
COL L A 16L (2) A 12L
A 8L
BE 1L
V DD
CLK L CNTEN L A 4L
A 0L
OPT L I/O 17L
V SS
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
I/O 20R
V SS I/O 18R
TDI
A 17L (1) A 13L
A 9L
BE 2L
CE 0L
V SS
ADS L
A 5L
A 1L
NC
V DDQR I/O 16L I/O 15R
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
C17
V DDQL I/O 19R V DDQR PL/ FT L INT L
A 14L
A 10L
BE 3L CE 1L
V SS
R/ W L
A 6L
A 2L
V DD I/O 16R I/O 15L
V SS
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
I/O 22L
E1
V SS
E2
I/O 21L I/O 20L A 15L
E3
E4
A 11L
A 7L
BE 0L
V DD
OE L REPEAT L
A 3L
V DD I/O 17R V DDQL I/O 14L I/O 14R
E16
E17
E14
E15
I/O 23L I/O 22R V DDQR I/O 21R
I/O 12L I/O 13R
V SS
I/O 13L
F1
F2
F3
F4
F14
F15
F16
F17
V DDQL I/O 23R I/O 24L
V SS
V SS
I/O 12R I/O 11L V DDQR
G1
G2
G3
G4
G14
G15
G16
G17
I/O 26L V SS
I/O 25L I/O 24R
I/O 9L V DDQL I/O 10L I/O 11R
H1 H2 H3 H4
V DD I/O 26R V DDQR I/O 25R
70T3519/99/89BF
BF208 (7)
H14
V DD
H15
I/O 9R
H16
V SS
H17
I/O 10R
J1
J2
J3
J4
J14
J15
J16
J17
V DDQL
K1
I/O 28R
V DD
K2
V SS
V SS
K3
I/O 27R
ZZ R
K4
V SS
208-Pin fpBGA
Top View (8)
ZZ L V DD V SS V DDQR
K14 K15 K16 K17
I/O 7R V DDQL I/O 8R V SS
L1
L2
L3
L4
L14
L15
L16
L17
I/O 29R I/O 28L V DDQR I/O 27L
I/O 6R
I/O 7L
V SS
I/O 8L
M1
M2
M3
M4
M14
M15
M16
M17
V DDQL I/O 29L I/O 30R
V SS
V SS
I/O 6L I/O 5R V DDQR
N1
N2
N3
N4
N14
N15
N16
N17
I/O 31L
V SS I/O 31R I/O 30L
I/O 3R V DDQL I/O 4R
I/O 5L
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
P17
I/O 32R I/O 32L V DDQR I/O 35R TRST A 16R (2) A 12R
A 8R
BE 1R
V DD
CLK R CNTEN R A 4R
I/O 2L I/O 3L
V SS
I/O 4L
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
R11
R12
R13
R14
R15
R16
R17
V SS
I/O 33L I/O 34R TCK A 17R (1) A 13R
A 9R
BE 2R CE 0R
V SS
ADS R
A 5R
A 1R
NC
V DDQL I/O 1R V DDQR
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
I/O 33R I/O 34L V DDQL TMS
INT R
A 14R
A 10R
BE 3R CE 1R
V SS
R/ W R
A 6R
A 2R
V SS
I/O 0R
V SS
I/O 2R
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
U8
U9
U10
U11
U12
U13
U14
U15
U16
U17
V SS
I/O 35L PL/ FT R COL R A 15R
A 11R
A 7R
BE 0R
V DD
OE R REPEAT R A 3R
A 0R
V DD
OPT R I/O 0L
I/O 1L
5666 drw 02c
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3599 and IDT70T3589.
2. Pin is a NC for IDT70T3589.
3. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8533VTAQG | IC MPU POWERQUICC II 783FCPBGA |
| 1734798-8 | CONN HOUSING FPC 8POS R/A SMD |
| IDT70T3519S166BCI | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA |
| MPC8533VTANG | IC MPU POWERQUICC II 783FCPBGA |
| MPC8533VTALF | IC MPU POWERQUICC II 783FCPBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S200BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S200BCG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70T3539MS133BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。