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参数资料
| 型号： | IDT70T3539MS166BC |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 18M（512K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3539MS166BC |
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Description:
The IDT70T3539M is a high-speed 512K x 36 bit synchronous Dual-
Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address from both ports. Registers on control,
data, and address inputs provide minimal setup and hold times. The timing
latitude provided by this approach allows systems to be designed with very
short cycle times. With an input data register, the IDT70T3539M has been
Industrial and Commercial Temperature Ranges
in bursts. An automatic power down feature, controlled by CE 0 and CE 1,
permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power
mode.
The 70T3539M can support an operating voltage of either 3.3V or
2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply
for the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow
6.42
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