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参数资料
型号： IDT70T3589S133BCI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 1/28页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 2M（64K x 36）
速度： 133MHz
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 托盘
其它名称： 70T3589S133BCI
SYNCHRONOUS
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous Interrupt and Collision Detection Flags
HIGH-SPEED 2.5V
256/128/64K x 36
IDT70T3519/99/89S
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
◆ ◆
access of the same memory location
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
◆
High-speed data access
matching compatibility
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆
◆
◆
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
◆
◆
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
◆
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
◆
◆
◆
◆
◆
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA), a 208-pin
Plastic Quad Flatpack (PQFP) and 208-pin fine pitch Ball
Grid Array (fpBGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Due to limited pin count JTAG is not supported on the 208-
pin PQFP package
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
FT /PIPE L
1/0
0a 1a
0b 1b
0c 1c
0d 1d
1d 0d
1c 0c
1b 0b
1a 0a
1/0
FT /PIPE R
a
b
c
d
d
c
b
a
R/ W L
CE 0L
R/ W R
CE 0R
CE 1L
1
0
1/0
B B B B B B B B
W W W W W W W W
1
0
1/0
CE 1R
0 1 2 3 3 2 1 0
OE L
1d 0d 1c 0c 1b 0b 1a 0a
L L L L R R R R
Dout0-8_L
Dout0-8_R
Dout9-17_L
Dout9-17_R
Dout18-26_L
Dout18-26_R
Dout27-35_L
Dout27-35_R
0a 1a 0b 1b 0c 1c 0d 1d
OE R
,
FT /PIPE L
0/1
abc d
d cba
0/1
FT /PIPE R
256/128/64K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O 0L - I/O 35L
CLK L
A 17L(1)
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 35R
CLK R
A 17R(1)
,
A 0L
REPEAT L
ADS L
CNTEN L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 0R
REPEAT R
ADS R
CNTEN R
CE 0 L
CE1L
INTERRUPT
COLLISION
DETECTION
CE 0 R
CE1 R
TDI
TDO
JTAG
TCK
TMS
TRST
COL L
INT L
R / W L
LOGIC
R/ W R
COL R
INT R
ZZ L
NOTES:
(2)
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ R
(2)
5666 drw 01
1. Address A 17 is a NC for the IDT70T3599. Also, Addresses A 17 and A 16 are NC's for the IDT70T3589.
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/ FT x and OPTx
and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
1
?2014 Integrated Device Technology, Inc.
MARCH 2014
DSC 5666/11
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PDF描述
IDT70V7339S166BC8 IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA
AYF533035 CONN SOCKET FPC 0.5MM 30POS SMD
RMC65DTEF CONN EDGECARD 130PS .100 EYELET
IDT70V659S15BF8 IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA
IDT70V659S15BC8 IC SRAM 4MBIT 15NS 256BGA
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参数描述
IDT70T3589S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BF8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BFI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BFI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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