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参数资料
| 型号： | IDT70T631S12DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T631S12DD |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description
The IDT70T633/1 is a high-speed 512/256K x 18 Asynchronous
Dual-Port Static RAM. The IDT70T633/1 is designed to be used as a
stand-alone 9216/4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MAS-
TER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the
IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 36-bit or wider
memory system applications results in full-speed, error-free operation
without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
2
feature controlled by the chip enables (either CE 0 or CE 1 ) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The IDT70T633/1 has a RapidWrite Mode which allows the designer
to perform back-to-back write operations without pulsing the R/ W input
each cycle. This is especially significant at the 10ns cycle times of the
IDT70T633/1, easing design considerations at these high performance
levels.
The 70T633/1 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V DD ) remains at 2.5V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCA10DCBN | CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD |
| RCA10DCBD | CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD |
| IDT70T631S10DD | IC SRAM 4MBIT 10NS 144TQFP |
| IDT70T3399S166DD | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 144TQFP |
| PR3003G-T | DIODE FAST REC 3A 200V DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T631S12DDI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70T631S15BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S15BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S15BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T631S15BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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