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参数资料
| 型号： | IDT70T633S12DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T633S12DD |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1)
Upper Byte
Lower Byte
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
X
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
D IN
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
High-Z
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
MODE
Deselected –Power Down
Deselected –Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Lower Byte
Write to Upper Byte
Write to Both Bytes
Read Lower Byte
Read Upper Byte
Read Both Bytes
Outputs Disabled
High-Z Sleep Mode
5670 tbl 02
NOTE:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
Truth Table II – Semaphore Read/Write Control (1)
Inputs (1)
Outputs
CE (2)
H
H
L
R/ W
H
↑
X
OE
L
X
X
UB
L
X
X
LB
L
L
X
SEM
L
L
L
I/O 1-17
DATA OUT
X
______
I/O 0
DATA OUT
DATA IN
______
Mode
Read Data in Semaphore Flag (3)
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 17 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. CE = L occurs when CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . CE = H when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
3. Each byte is controlled by the respective UB and LB . To read data UB and/or LB = V IL .
6
5670 tbl 03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC12DRYN | CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD |
| EN91F5 | BATTERY PK 7.5V AA SIZE ALKALINE |
| T95R187K6R3HZSL | CAP TANT 180UF 6.3V 10% 2824 |
| IDT70T633S10DD | IC SRAM 9MBIT 10NS 144TQFP |
| RAC15-0515TB | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T633S12DDI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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| IDT70T633S15BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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