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参数资料
| 型号： | IDT70T633S12DDI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T633S12DDI |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
t ACE
(6)
t AA
(4)
(4)
t AOE
(4)
OE
t ABE (4)
UB , LB
R/ W
t LZ /t LZOB
(1)
t OH
DATA OUT
VALID DATA
(4)
BUSY OUT
t HZ
(2)
.
t BDD
(3,4)
5670 drw 06
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE , OE , LB or UB .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last: t AOE , t ACE , t AA , t ABE , or t BDD .
5. SEM = V IH .
6. CE = L occurs when CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . CE = H when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50%
5670 drw 07
.
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95R187M6R3HZSL | CAP TANT 180UF 6.3V 20% 2824 |
| V72B36C250BF2 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 250W |
| RCM06DTMN-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| IDT70T633S12DD | IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP |
| FMC12DRYN | CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T633S15BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S15DD | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 15NS 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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