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参数资料
| 型号： | IDT70T633S8BFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 8NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 8ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T633S8BFG |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
03/12/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
A
B
C
D
I/O 9L
NC
V DD QL
NC
NC
V S S
I/O 9R
V SS
V S S
NC
V DDQR
I/O 10L
TDO
TDI
V DD
NC
NC
A 17L
A 18L (4 )
A 15L
A 16L
A 13L
A 14 L
A 11L
A 12L
A 9 L
A 10L
A 7L
A 8L
NC
UB L
LB L
NC
CE 0L
CE 1L
V DD
V DD
V SS
V SS
OE L
SEM L
BUSY L
R/ W L
NC
INT L
A 5L
A 6 L
A 3L
A 4L
A 1L
A 2L
V D D
A 0L
V SS
V DD
NC
OPT L
V DDQR
I/O 8R
V D DQ L
NC
I/O 8L
NC
I/O 7L
V S S
NC
V SS
I/O 7 R
A
B
C
D
E
F
G
I/O 11L
V DDQL
NC
NC
I/O 11R
V S S
V DD QR
NC
I/O 12L
I/O 10 R
V SS
NC
I/O 6L
V SS
NC
NC
I/O 6R
V D DQ L
V S S
NC
I/O 5L
NC
V DD QR
NC
E
F
G
H
J
K
L
M
N
V DD
V DD QL
I/O 14R
NC
V DD QL
NC
NC
V D D
V S S
I/O 14L
NC
V S S
V D DQR
V S S
I/O 13R
V DD QR
I/O 15R
NC
I/O 12R
ZZ R
V S S
I/O 13L
V SS
I/O 15 L
70T633/1BF
BF-208 (5,6)
208-Ball BGA
Top View (7)
V DD
ZZ L
I/O 3R
NC
V SS
I/O 1R
NC
V DD
V D DQL
I/O 3L
NC
V D DQ L
V SS
V SS
I/O 4R
V SS
I/O 2R
NC
I/O 5R
V DD QR
V S S
I/O 4L
V DD QR
I/O 2L
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
I/O 16R
V S S
NC
V S S
I/O 16L
NC
I/O 17L
NC
V DD QR
I/O 17R
V D DQ L
V DD
NC
TCK
TMS
NC
TR S T
A 17R
A 1 8R (4)
A 15R
A 16R
A 13R
A 14R
A 11R
A 12R
A 9R
A 10R
A 7 R
A 8R
NC
UB R
LB R
NC
CE 0R
CE 1R
V DD
V DD
V SS
V SS
OE R
SEM R
BUSY R
R/ W R
M/ S
INT R
A 5 R
A 6R
A 3R
A 4R
A 1R
A 2R
A 0R
NC
V SS
V S S
V D D
I/O 1L
V D DQ L
NC
OPT R
V SS
I/O 0R
V SS
NC
NC
V DD QR
NC
I/O 0L
P
R
T
U
5670 drw 02b
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. A 18X is a NC for IDT70T631.
5. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
6. This package code is used to reference the package diagram.
7. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70T651S10BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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