- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3948 > IDT70T651S10BCI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T651S10BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 20/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T651S10BCI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
CE "A"(3)
R/ W "A"
t AS (4)
(2)
INTERRUPT SET ADDRESS
t WR (5)
t INS
(4)
INT "B"
.
5632 drw 18
t RC
ADDR "B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(4)
t AS
(2)
CE "B"(3)
OE "B"
t INR (4)
INT "B"
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH . CE X = V IH means CE 0X = V IH and/or CE 1X = V IL .
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
5. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
Truth Table III — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
Right Port
5632 drw 19
.
A 17L -A 0L
L
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
(5)
3FFFF
X
X
3FFFE
INT L
X
X
L (3)
H (2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 17R -A 0R (5)
X
3FFFF
3FFFE
X
INT R
(2)
H (3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH . CE 0X = V IL and CE 1X = V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. INT L and INT R must be initialized at power-up.
5. A 17x is a NC for IDT70T659. Therefore, Interrupt Addresses are 1FFFF and 1FFFE.
20
5632 tbl 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1734798-9 | CONN HOUSING FPC 9POS R/A SMD |
| MPC8544ECVTALF | IC MPU POWERQUICC III 783FCPGBA |
| 1-84952-3 | CONN FPC 13POS 1MM RT ANG SMD |
| MPC8533VTARJ | IC MPU POWERQUICC II 783FCPBGA |
| IDT70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T651S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BFGI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T651S10BFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。