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参数资料
| 型号： | IDT70T651S12BF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T651S12BF |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
03/18/03
Industrial and Commercial Temperature Ranges
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
13 14
15
16 17
A
I/O 19L
I/O 18L
V SS
TDO
NC
A 16L
A 12L
A 8L
BE 1L
V D D
SEM L
INT L
A4 L
A 0L
OPT L
I/O 17L
V SS
A
B
I/O 20R
V SS
I/O 18R
TDI
A 17L (4)
A 13L
A 9 L
BE 2L
CE 0L
V SS
BUSY L
A5 L
A 1L
V SS
V DD QR
I/O16L I/O 15R
B
C
V DD QL
I/O 19R
V DD QR
V DD
NC
A 14 L
A 1 0L
BE 3L
CE 1L
V SS
R/ W L
A6 L
A 2L
V DD
I/O 16R
I/O 15L
V SS
C
D
I/O 22L
V SS
I/O 21L
I/O 20L
A 15L
A 11L
A 7 L
BE 0L
V DD
OE L
NC
A 3 L
V D D
I/O 17R
V D DQ L
I/O 14L I/O 14R
D
E
I/O 23L
I/O 22R
V D DQ R I/O 21R
I/O 12L
I/O 13R
V SS
I/O 13L
E
F
V DD QL
I/O 23R
I/O 24L
V SS
V SS
I/O 12R
I/O 11L
V DD QR
F
G
I/O 26L
V SS
I/O 25L
I/O 24R
I/O 9L
V DD QL
I/O 10L I/O 11R
G
H
V DD
I/O 26R
V DD QR I/O 25R
70T651/9BF
BF-208 (5,6)
V D D
I/O 9R
V SS
I/O 10R
H
J
K
L
M
N
V DD QL
I/O 28R
I/O 29R
V DD QL
I/O 31L
V D D
V SS
I/O 28L
I/O 29L
V SS
V SS
I/O 27R
V D DQ R
I/O 30R
I/O 31R
ZZ R
V S S
I/O 27L
V SS
I/O 30L
208-Ball
fpBGA
Top View (7)
ZZ L
I/O 7R
I/O 6R
V SS
I/O 3R
V DD
V D DQL
I/O 7L
I/O 6L
V DD QL
V SS
I/O8R
V SS
I/O 5R
I/O 4R
V DD QR
V SS
I/O 8L
V DD QR
I/O 5L
J
K
L
M
N
P
I/O 32R
I/O 32L
V D DQ R I/O 3 5R
TRST
A 16R
A 12R
A 8R
BE 1R
V DD
SEM R
INT R
A 4R
I/O 2L
I/O 3L
V SS
I/O 4L
P
R
T
U
V SS
I/O 33R
V SS
I/O 33L
I/O 34L
I/O 35L
I/O 34R
V DD QL
V D D
TCK
TMS
NC
A 17R(4)
NC
A 15R
A 13R
A 14R
A 11R
A 9R
A 1 0R
A 7 R
BE 2R
BE 3R
BE 0R
CE 0 R
CE 1R
V DD
V SS
V SS
OE R
BUSY R
R/ W R
M/ S
A 5 R
A 6R
A 3R
A 1R
A 2R
A 0R
V SS
V S S
V DD
V D DQ L
I/O 0R
OPT R
I/O 1R
V SS
I/O 0L
V DD QR
I/O 2R
I/O 1L
R
T
U
5632 drw 02e
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 2.5V power supply.
2 . All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (2.5V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. A 17 X is a NC for IDT70T659.
5. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
6. This package code is used to reference the package diagram.
7. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
5
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| IDT70T651S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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