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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10DR |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S10DR |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics over the Operating Temperature Range
and Supply Voltage Range for RapidWrite Mode Write Cycle (1)
Symbol
t AAS
t ARF
Parameter
Allowable Address Skew for RapidWrite Mode
Address Rise/Fall Time for RapidWrite Mode
Min
____
1.5
Max
1
____
Unit
ns
V/ns
5632 tbl 14
NOTE:
1. Timing applies to all speed grades when utilizing the RapidWrite Mode Write Cycle.
Timing Waveform of Address Inputs for RapidWrite Mode Write Cycle
A 0
t AAS
t ARF
A 17
(1)
t ARF
5632 drw 09
NOTE:
1. A 16 for IDT70T659.
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T659S10BCI | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
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参数描述 |
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| IDT70T659S12BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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