参数资料
型号: IDT70T659S8BFG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 10/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 8NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 8ns
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70T659S8BFG
IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V / GND to 2.4V
2ns Max.
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figure 1
5632 tbl 11
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V/1.25
,
10pF
4
3.5
3
(Tester)
Figure 1. AC Output Test load.
5632 drw 03
? t AA / t ACE
(Typical, ns)
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
? Capacitance (pF) from AC Test Load
5632 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
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PDF描述
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参数描述
IDT70T659S8BFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 8NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T9159L12BF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70T9159L12PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70T9159L12PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70T9159L9BF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 9NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8