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参数资料
| 型号： | IDT70V05L20J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 68PLCC |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V05L20J8 |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
7 0 V 0 5 X 1 5
C o m ' l O n l y
7 0 V 0 5 X 2 0
C o m ' l
& I n d
7 0 V 0 5 X 2 5
C o m ' l O n l y
S y m b o l
P a r a m e t e r
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5
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2 9 4 1 t b l 1 2 a
7 0 V 0 5 X 3 5
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7 0 V 0 5 X 5 5
C o m ' l O n l y
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NOTES:
2 9 4 1 t b l 1 2 b
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is determined by device characterization but is not production tested.
3. To access SRAM, CE = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage and
temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. “X” in part number indicates power rating (S or L).
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