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参数资料
| 型号： | IDT70V05L35J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 35NS 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 70V05L35J |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
7 0 V 0 5 X 1 5
C o m ' l O n l y
7 0 V 0 5 X 2 0
C o m ' l
& I n d
7 0 V 0 5 X 2 5
C o m ' l O n l y
S y m b o l
P a r a m e t e r
T e s t C o n d i t i o n
V e r s i o n
T y p . ( 2 )
M a x .
T y p . ( 2 )
M a x .
T y p . ( 2 )
M a x .
U n i t
I DD
I S B 1
I S B 2
I S B 3
I S B 4
D y n a m i c O p e r a t i n g
C u r r e n t
( B o t h P o r t s A c t i v e )
S t a n d b y C u r r e n t
( B o t h P o r t s - T T L
L e v e l I n p u t s )
S t a n d b y C u r r e n t
( O n e P o r t - T T L
L e v e l I n p u t s )
F u l l S t a n d b y C u r r e n t
( B o t h P o r t s -
C M O S L e v e l I n p u t s )
F u l l S t a n d b y C u r r e n t
( O n e P o r t -
C M O S L e v e l I n p u t s )
C E = V I L , O u t p u t s D i s a b l e d
S E M = V I H
f = f M A X ( 3 )
C E R = C E L = V I H
S E M R = S E M L = V I H
f = f M A X ( 3 )
C E L o r C E R = V I H
A c t i v e P o r t O u t p u t s D i s a b l e d ,
f = f M A X ( 3 )
B o t h P o r t s C E L a n d
C E R > V DD - 0 . 2 V ,
V I N > V DD - 0 . 2 V o r
V I N < 0 . 2 V , f = 0 ( 4 )
S E M R = S E M L > V DD - 0 . 2 V
O n e P o r t C E L o r
C E R > V DD - 0 . 2 V
S E M R = S E M L > V DD - 0 . 2 V
V I N > V DD - 0 . 2 V o r V I N < 0 . 2 V
A c t i v e P o r t O u t p u t s D i s a b l e d ,
f = f M A X ( 3 )
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
1 5 0
1 4 0
_ _ _ _
_ _ _ _
2 5
2 0
_ _ _ _
_ _ _ _
8 5
8 0
_ _ _ _
_ _ _ _
1 . 0
0 . 2
_ _ _ _
_ _ _ _
8 5
8 0
_ _ _ _
_ _ _ _
2 1 5
1 8 5
_ _ _ _
_ _ _ _
3 5
3 0
_ _ _ _
_ _ _ _
1 2 0
1 1 0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
2 . 5
_ _ _ _
_ _ _ _
1 2 5
1 0 5
_ _ _ _
_ _ _ _
1 4 0
1 3 0
1 4 0
1 3 0
2 0
1 5
2 0
1 5
8 0
7 5
8 0
7 5
1 . 0
0 . 2
1 . 0
0 . 2
8 0
7 5
8 0
7 5
2 0 0
1 7 5
2 2 5
1 9 5
3 0
2 5
4 5
4 0
1 1 0
1 0 0
1 3 0
1 1 5
5
2 . 5
1 5
5
1 1 5
1 0 0
1 3 0
1 1 5
1 3 0
1 2 5
_ _ _ _
_ _ _ _
1 6
1 3
_ _ _ _
_ _ _ _
7 5
7 2
_ _ _ _
_ _ _ _
1 . 0
0 . 2
_ _ _ _
_ _ _ _
7 5
7 0
_ _ _ _
_ _ _ _
1 9 0
1 6 5
_ _ _ _
_ _ _ _
3 0
2 5
_ _ _ _
_ _ _ _
1 1 0
9 5
_ _ _ _
_ _ _ _
5
2 . 5
_ _ _ _
_ _ _ _
1 0 5
9 0
_ _ _ _
_ _ _ _
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
2 9 4 1 t b l 0 9 a
7 0 V 0 5 X 3 5
C o m ' l O n l y
7 0 V 0 5 X 5 5
C o m ' l O n l y
S y m b o l
P a r a m e t e r
T e s t C o n d i t i o n
V e r s i o n
T y p . ( 2 )
M a x .
T y p . ( 2 )
M a x .
U n i t
I DD
I S B 1
I S B 2
I S B 3
I S B 4
D y n a m i c O p e r a t i n g
C u r r e n t
( B o t h P o r t s A c t i v e )
S t a n d b y C u r r e n t
( B o t h P o r t s - T T L
L e v e l I n p u t s )
S t a n d b y C u r r e n t
( O n e P o r t - T T L
L e v e l I n p u t s )
F u l l S t a n d b y C u r r e n t
( B o t h P o r t s -
C M O S L e v e l I n p u t s )
F u l l S t a n d b y C u r r e n t
( O n e P o r t -
C M O S L e v e l I n p u t s )
C E = V I L , O u t p u t s D i s a b l e d
S E M = V I H
f = f M A X ( 3 )
C E R = C E L = V I H
S E M R = S E M L = V I H
f = f M A X ( 3 )
C E L o r C E R = V I H
A c t i v e P o r t O u t p u t s D i s a b l e d ,
f = f M A X ( 3 )
B o t h P o r t s C E L a n d
C E R > V DD - 0 . 2 V ,
V I N > V DD - 0 . 2 V o r
V I N < 0 . 2 V , f = 0 ( 4 )
S E M R = S E M L > V DD - 0 . 2 V
O n e P o r t C E L o r
C E R > V DD - 0 . 2 V
S E M R = S E M L > V DD - 0 . 2 V
V I N > V DD - 0 . 2 V o r V I N < 0 . 2 V
A c t i v e P o r t O u t p u t s D i s a b l e d ,
f = f M A X ( 3 )
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
C O M ' L
I N D
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
1 2 0
1 1 5
1 2 0
1 1 5
1 3
1 1
1 3
1 1
7 0
6 5
7 0
6 5
1 . 0
0 . 2
1 . 0
0 . 2
6 5
6 0
6 5
6 0
1 8 0
1 5 5
2 0 0
1 7 0
2 5
2 0
4 0
3 5
1 0 0
9 0
1 2 0
1 0 5
5
2 . 5
1 5
5
1 0 0
8 5
1 1 5
1 0 0
1 2 0
1 1 5
1 2 0
1 1 5
1 3
1 1
1 3
1 1
7 0
6 5
7 0
6 5
1 . 0
0 . 2
1 . 0
0 . 2
6 5
6 0
6 5
6 0
1 8 0
1 5 5
2 0 0
1 7 0
2 5
2 0
4 0
3 5
1 0 0
9 0
1 2 0
1 0 5
5
2 . 5
1 5
5
1 0 0
8 5
1 1 5
1 0 0
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
m A
NOTES:
2 9 4 1 t b l 0 9 b
1. “X” in part number indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 115mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input levels of
GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
6.42
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| IDT70V05L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT70V05L55G | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V05L55J | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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