- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4093 > IDT70V05S35PF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 64KBIT 35NS 64TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V05S35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V05S35PF8 |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
7 0 V 0 5 X 1 5
C o m ' l O n l y
7 0 V 0 5 X 2 0
C o m ' l
& I n d
7 0 V 0 5 X 2 5
C o m ' l O n l y
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
U n i t
W R I T E C Y C L E
t W C
W r i t e C y c l e T i m e
1 5
_ _ _ _
2 0
_ _ _ _
2 5
_ _ _ _
n s
t E W
C h i p E n a b l e t o E n d - o f - W r i t e
( 3 )
1 2
_ _ _ _
1 5
_ _ _ _
2 0
_ _ _ _
n s
t A W
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
1 2
_ _ _ _
1 5
_ _ _ _
2 0
_ _ _ _
n s
t A S
A d d r e s s S e t - u p T i m e
( 3 )
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
n s
t W P
t W R
t D W
W r i t e P u l s e W i d t h
W r i t e R e c o v e r y T i m e
D a t a V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
1 2
0
1 0
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
1 5
0
1 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
2 0
0
1 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
n s
n s
n s
t H Z
O u t p u t H i g h - Z T i m e
( 1 , 2 )
_ _ _ _
1 0
_ _ _ _
1 2
_ _ _ _
1 5
n s
t D H
D a t a H o l d T i m e
( 4 )
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
n s
W r i t e E n a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
t WZ
( 1 , 2 )
_ _ _ _
1 0
_ _ _ _
1 2
_ _ _ _
1 5
n s
t O W
t S W R D
t S P S
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
S E M F l a g W r i t e t o R e a d T i m e
S E M F l a g C o n t e n t i o n W i n d o w
( 1 , 2 , 4 )
0
5
5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
0
5
5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
0
5
5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
n s
n s
n s
2 9 4 1 t b l 1 2 a
7 0 V 0 5 X 3 5
C o m ' l O n l y
7 0 V 0 5 X 5 5
C o m ' l O n l y
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
U n i t
W R I T E C Y C L E
t W C
W r i t e C y c l e T i m e
3 5
_ _ _ _
5 5
_ _ _ _
n s
t E W
C h i p E n a b l e t o E n d - o f - W r i t e
( 3 )
3 0
_ _ _ _
4 5
_ _ _ _
n s
t A W
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
3 0
_ _ _ _
4 5
_ _ _ _
n s
t A S
A d d r e s s S e t - u p T i m e
( 3 )
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
n s
t W P
t W R
t D W
W r i t e P u l s e W i d t h
W r i t e R e c o v e r y T i m e
D a t a V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
2 5
0
1 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
4 0
0
3 0
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
n s
n s
n s
t H Z
O u t p u t H i g h - Z T i m e
( 1 , 2 )
_ _ _ _
1 5
_ _ _ _
2 5
n s
t D H
D a t a H o l d T i m e
( 4 )
0
_ _ _ _
0
_ _ _ _
n s
W r i t e E n a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
t WZ
( 1 , 2 )
_ _ _ _
1 5
_ _ _ _
2 5
n s
t O W
t S W R D
t S P S
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
S E M F l a g W r i t e t o R e a d T i m e
S E M F l a g C o n t e n t i o n W i n d o w
( 1 , 2 , 4 )
0
5
5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
0
5
5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
n s
n s
n s
NOTES:
2 9 4 1 t b l 1 2 b
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is determined by device characterization but is not production tested.
3. To access SRAM, CE = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage and
temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. “X” in part number indicates power rating (S or L).
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V05S25PF8 | IC SRAM 64KBIT 25NS 64TQFP |
| IDT71V65603S150BGGI8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA |
| AMC43DRYN-S93 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| IDT71V65603S133BGI8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA |
| AMC43DRYH-S93 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V05S55G | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V05S55J | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT70V05S55J8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT70V05S55PF | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT70V05S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。