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参数资料
| 型号： | IDT70V06S20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 20NS 64TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V06S20PF |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
150
140
____
215
185
____
140
130
____
200
175
____
130
125
____
190
165
____
mA
mA
L
____
____
130
195
125
180
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
25
20
____
35
30
____
20
15
____
30
25
____
16
13
____
30
25
____
mA
mA
L
____
____
15
40
13
40
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE L or CE R = V IH
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
85
80
____
120
110
____
80
75
____
110
100
____
75
72
____
110
95
____
mA
mA
L
____
____
75
115
72
110
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
One Port CE L or
CE R > V DD - 0.2V
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
COM'L
IND
COM'L
IND
S
L
S
L
S
L
S
1.0
0.2
____
____
85
80
____
5
2.5
____
____
125
105
____
1.0
0.2
____
0.2
80
75
____
5
2.5
____
5
115
100
____
1.0
0.2
____
0.2
75
70
____
5
2.5
____
5
105
90
____
mA
mA
mA
mA
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
L
____
____
75
115
70
105
2942 tbl 09a
70V06X35
Com'l Only
70V06X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
120
115
____
180
155
____
120
115
____
180
155
____
mA
mA
L
____
____
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
13
11
____
25
20
____
13
11
____
25
20
____
mA
mA
L
____
____
____
____
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE L or CE R = V IH
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
70
65
____
100
90
____
70
65
____
100
90
____
mA
mA
L
____
____
____
____
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
One Port CE L or
CE R > V DD - 0.2V
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
COM'L
IND
COM'L
IND
S
L
S
L
S
L
S
1.0
0.2
____
____
65
60
____
5
2.5
____
____
100
85
____
1.0
0.2
____
____
65
60
____
5
2.5
____
____
100
85
____
mA
mA
mA
mA
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
L
____
____
____
____
2942 tbl 09b
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 115mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input levels of
GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
6
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| IDT70V06S25J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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