参数资料
型号: IDT70V06S55G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K (16K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-BPGA
供应商设备封装: 68-PGA(29.46x29.46)
包装: 托盘
其它名称: 70V06S55G
HIGH-SPEED 3.3V
16K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V06S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
Features
reads of the same memory location
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
High-speed access
– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)
– Industrial: 20/25ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V06S
Active: 400mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V06L
Active: 380mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
IDT70V06 easily expands data bus width to 16 bits or more
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation—2V data retention
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 64-pin TQFP
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0L - I/O 7L
I/O
I/O
I/O 0R -I/O 7R
,
Control
Control
BUSY R
BUSY L
(1,2)
(1,2)
A 13L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 13R
A 0R
14
14
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE R
OE R
R/W R
NOTES:
SEM L
INT L
(2)
M/ S
SEM R
INT R (2)
2942 drw 01
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2008 Integrated Device Technology, Inc.
1
6.07
OCTOBER 2008
DSC-2942/9
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PDF描述
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参数描述
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IDT70V06S55J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V06S55PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V06S55PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT70V07L25J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8