参数资料
型号: IDT70V06S55J
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC
标准包装: 18
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K (16K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 68-PLCC(24x24)
包装: 管件
其它名称: 70V06S55J
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t WH (1)
R/ W "B"
(2)
,
2942 drw 13
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (slave) output master.
2. BUSY is asserted on Port “B” Blocking R/ W “B” , until BUSY “B” goes HIGH.
3. t WB is only for the slave version.
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1) (M/ S = V IH )
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
2942 drw 14
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (1) (M/ S = V IH )
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESS "N"
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
2942 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
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6.42
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PDF描述
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IDT70V06S55PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
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