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参数资料
| 型号： | IDT70V08L35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V08L35PF8 |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
& Industrial
Grade
Ambient
GND
V DD
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +4.6
V
Temperature
with Respect
to GND
Commercial
0 O C to +70 O C
0V
3.3V + 0.3V
T BIAS
Temperature
-55 to +125
o
C
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
3.3V + 0.3V
Under Bias
NOTES:
3740 tbl 02
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I OUT
DC Output
50
mA
Current
N OTES:
3740 tbl 01
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
Capacitance (1)
Symbol Parameter
(T A = +25°C, f = 1.0mhz)
Conditions (2) Max. Unit
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 0.3V.
C IN
C OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
9
10
pF
pF
3740 tbl 03
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not produc-
Pin Names
Left Port
Right Port
Names
tion tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
CE 0L , CE 1L
CE 0R , CE 1R
Chip Enables
R/ W L
OE L
A 0L - A 15L
R/ W R
OE R
A 0R - A 15R
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
V DD +0.3
-0.3
I/O 0L - I/O 7L
SEM L
INT L
BUSY L
I/O 0R - I/O 7R
SEM R
INT R
BUSY R
Data Input/Output
Semaphore Enable
Interrupt Flag
Busy Flag
V DD
V SS
V IH
V IL
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
0
2.0
(1)
3.3
0
____
____
3.6
0
0.8
(2)
V
V
V
V
M/ S
V DD
Master or Slave Select
Power (3.3V)
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
3740 tbl 05
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V.
V SS
Ground (0V)
3740 tbl 04
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08L25PF8 | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V08L20PF8 | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7027L35PF8 | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT7027L25PF8 | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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