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参数资料
| 型号： | IDT70V08S20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V08S20PF |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3.V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1,3)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
3740 drw 13
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
ADDRESS "N"
t APS (2)
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
3740 drw 14
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
3. Refer to Chip Enable Truth Table.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V08S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V08S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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