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参数资料
| 型号： | IDT70V25L55J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V25L55J8 |
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is a high-speed 8/4K x 18 (8/4K
x16) Dual-Port Static RAM. The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is de-
signed to be used as a stand-alone Dual-Port RAM or as a combination
MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 36-bit (32-bit) or wider memory
system applications results in full-speed, error-free operation without the
need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
Pin Configurations (1,2,3,4)
06/24/04
Index
Industrial and Commercial Temperature Ranges
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 430mW (IDT70V35/34) and 400mW
(IDT70V25/24) of power.
The IDT70V35/34 (IDT70V25/24) is packaged in a plastic 100-pin
Thin Quad Flatpack. The IDT70V25/24 is packaged in a ceramic 84-pin
PGA and 84-Pin PLCC.
1
N/C
100 99 98 9796 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
N/C
N/C
I/O 8L
I/O 17L
I/O 11L
I/O 12L
I/O 13L
I/O 14L
Vss
2
3
4
5
6
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8
9
74
73
72
71
70
69
68
67
N/C
N/C
N/C
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 15L
I/O 16L
V DD
Vss
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
I/O 8R
I/O 17R
N/C
10
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19
20
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24
IDT70V35/34PF
PN100-1 (5)
100-Pin TQFP
Top View (6)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
A 0L
INT L
BUSY L
Vss
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
N/C
N/C
N/C
25
N/C
51
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
N/C
,
5624 drw 02
NOTES:
1. A 12 is a NC for IDT70V34.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. PN100-1 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part marking.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7025L55J8 | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC |
| 65801-115 | CLINCHER RECEPTACLE ASSY TIN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V25L55PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25S15J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V25S15J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25S15PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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