参数资料
型号: IDT70V25S35J
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 20/25页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 35NS 84PLCC
标准包装: 15
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K(8K x 16)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 84-PLCC(29.21x29.21)
包装: 管件
其它名称: 70V25S35J
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
(2)
(3)
t AS
t WR
(4)
CE "A"
R/ W "A"
t INS (3)
INT "B"
5624 drw 17
t RC
ADDR "B"
CE "B"
OE "B"
t AS (3)
t INR
(3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
I NT "B"
5624 drw 18
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. See Interrupt Flag Truth Table III.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
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6.42
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