参数资料
型号: IDT70V261L25PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V261L25PF8
HIGH-SPEED 3.3V
16K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V261S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
High-speed access
Low-power operation
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
Features
access of the same memory location
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25ns (max.)
– IDT70V261S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V261L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660 μ W (typ.)
bus compatibility
Functional Block Diagram
R/ W L
UB L
LB L
CE L
OE L
IDT70V261 easily expands data bus width to 32 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in a 100-pin TQFP, Thin Quad Plastic Flatpack
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speed
Green parts available, see ordering information
R/ W R
UB R
LB R
CE R
OE R
BUSY L
I/O 8L -I/O 15L
I/O 0L -I/O 7L
(1,2)
I/O
Control
I/O
Control
I/O 8R -I/O 15R
I/O 0R -I/O 7R
(1,2)
BUSY R
A 13L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 13R
A 0R
14
ARBITRATION
14
INT L
INT R
CE L
OE L
R/ W L
SEM L
(2)
NOTES:
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/ S
1
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
(2)
3040 drw 01
SEPTEMBER 2012
DSC-3040/11
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PDF描述
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参数描述
IDT70V261L25PFG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
IDT70V261L25PFG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V261L25PFGI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V261L25PFGI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V261L25PFI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)