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参数资料
| 型号： | IDT70V261L25PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V261L25PFI8 |
HIGH-SPEED 3.3V
16K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V261S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
High-speed access
Low-power operation
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
Features
◆
access of the same memory location
◆
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25ns (max.)
◆
– IDT70V261S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V261L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660 μ W (typ.)
◆
bus compatibility
Functional Block Diagram
R/ W L
UB L
LB L
CE L
OE L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
IDT70V261 easily expands data bus width to 32 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
Interrupt Flag
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in a 100-pin TQFP, Thin Quad Plastic Flatpack
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speed
Green parts available, see ordering information
R/ W R
UB R
LB R
CE R
OE R
BUSY L
I/O 8L -I/O 15L
I/O 0L -I/O 7L
(1,2)
I/O
Control
I/O
Control
I/O 8R -I/O 15R
I/O 0R -I/O 7R
(1,2)
BUSY R
A 13L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 13R
A 0R
14
ARBITRATION
14
INT L
INT R
CE L
OE L
R/ W L
SEM L
(2)
NOTES:
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/ S
1
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
(2)
3040 drw 01
SEPTEMBER 2012
DSC-3040/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V261L25PFGI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V07L25PFI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP |
| IDT70261L20PFI8 | IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70261L15PFG8 | IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70261L15PF8 | IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V261L35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V261L55PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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