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参数资料
| 型号： | IDT70V26S35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V26S35G |
HIGH-SPEED 3.3V
16K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V26S/L
Features
◆
IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
◆
◆
◆
High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V26S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V26L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660 μ W (typ.)
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in 84-pin PGA and PLCC
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
bus compatibility
Functional Block Diagram
BUSY L
BUSY R
R/ W L
UB L
LB L
CE L
OE L
I/O 8L -I/O 15L
I/O 0L -I/O 7L
(1,2)
I/O
Control
I/O
Control
R/ W R
UB R
LB R
CE R
OE R
I/O 8R -I/O 15R
I/O 0R -I/O 7R
(1,2)
A 13L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 13R
A 0R
14
14
NOTES:
SEM L
CE L
ARBITRATION
SEMAPHORE
LOGIC
M/ S
CE R
SEM R
2945 drw 01
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.
JANUARY 2009
1
?2009Integrated Device Technology, Inc.
DSC 2945/16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026S35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V26S35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S35J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S55G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V26S55J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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