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参数资料
| 型号： | IDT70V27S25PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V27S25PF |
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing
(1,5)
t WC
Commercial and Industrial Temperature Range
ADDR "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
(2)
t AS
(3)
t WR
(4)
CE "A"
R/ W "A"
t INS (3)
INT "B"
3603 drw 15
t RC
ADDR "B"
CE "B"
OE "B"
t AS
(3)
t INR
(3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
INT "B"
3603 drw 16
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
5. Refer to Chip Enable Truth Table.
Truth Table IV — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
Right Port
H
H
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
A 14L -A 0L
7FFF
X
X
7FFE
INT L
X
X
L (3)
(2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 14R -A 0R
X
7FFF
7FFE
X
INT R
L (2)
(3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. Refer to Chip Enable Truth Table.
16
3603 tbl 16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V27S20PF | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PF | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7037L20PF | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7027S35PF | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT7027S25PF | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V27S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V27S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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