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参数资料
| 型号： | IDT70V3379S4BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 4ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3379S4BF8 |
IDT70V3379S
High-Speed 3.3v 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
CE 1
t SC
t SB
t HC
t HB
UB , LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
(1)
t CD2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ
t CD2
DATA OUT
Qn
(4)
Qn + 4
t OHZ
OE
READ
WRITE
READ
4833 drw 10
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and CNTRST = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use
only.
4. This timing does not meet requirements for fastest speed grade. This waveform indicates how logically it could be done if timing so allows.
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SAD t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
4833 drw 11
NOTES:
1. CE 0 , OE , UB , LB = V IL ; CE 1 , R/ W , and CNTRST = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
13
6.42
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