- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4005 > IDT70V3379S5BF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 576KBIT 5NS 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V3379S5BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 5NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3379S5BF8 |
IDT70V3379S
High-Speed 3.3v 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Range (Read and Write Cycle Timing) (1,2)
(V DD = 3.3V ± 150mV, T A = 0°C to +70°C)
70V3379S4
Com'l Only
70V3379S5
Com'l
& Ind
70V3379S6
Com'l Only
Symbol
t CYC2
t CH2
t CL2
t R
t F
t SA
t HA
t SC
t HC
t SB
t HB
t SW
t HW
t SD
t HD
t SAD
t HAD
t SCN
t HCN
t SRST
t HRST
Parameter
Clock Cycle Time (Pipelined)
Clock High Time (Pipelined)
Clock Low Time (Pipelined)
Clock Rise Time
Clock Fall Time
Address Setup Time
Address Hold Time
Chip Enable Setup Time
Chip Enable Hold Time
Byte Enable Setup Time
Byte Enable Hold Time
R/ W Setup Time
R/ W Hold Time
Input Data Setup Time
Input Data Hold Time
ADS Setup Time
ADS Hold Time
CNTEN Setup Time
CNTEN Hold Time
CNTRST Setup Time
CNTRST Hold Time
Min.
7.5
3
3
____
____
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
1.8
0.7
Max.
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
Min.
10
4
4
____
____
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
2.0
0.7
Max.
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
Min.
12
5
5
____
____
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
Max.
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t OE
(1)
Output Enable to Data Valid
____
4
____
5
____
6
ns
t OLZ
t OHZ
t CD2
t DC
t CKHZ
t CKLZ
Output Enable to Output Low-Z
Output Enable to Output High-Z
Clock to Data Valid (Pipelined)
Data Output Hold After Clock High
Clock High to Output High-Z
Clock High to Output Low-Z
0
1
____
1
1
1
____
4
4.2
____
3
____
0
1
____
1
1
1
____
4.5
5
____
4.5
____
0
1
____
1
1.5
1
____
5
6
____
6
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Port-to-Port Delay
t CO
Clock-to-Clock Offset
6
____
8
____
10
____
ns
NOTES:
1. All input signals are synchronous with respect to the clock except for the asynchronous Output Enable ( OE ).
2. These values are valid for either level of V DDQ (3.3V/2.5V). See page 4 for details on selecting the desired I/O voltage levels for each port.
10
6.42
4833 tbl 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC862TVR66B | IC MPU POWERQUICC 66MHZ 357PBGA |
| HMC31DTEF | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| IDT7008S20J8 | IC SRAM 512KBIT 20NS 84PLCC |
| MPC862TCVR80B | IC MPU POWERQUICC 80MHZ 357PBGA |
| MPC862TCVR66B | IC MPU POWERQUICC 66MHZ 357PBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3379S5BFI | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S5BFI8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S5PRF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S5PRF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3379S5PRFI | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 5NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。