参数资料
型号: IDT70V3389S6BF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 16/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V3389S6BF8
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 3.3V Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
Power
99
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BF
PRF
BC
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
208-pin fpBGA (BF-208)
128-pin TQFP (PK-128)
256-pin BGA (BC-256)
4
5
6
S
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial Only
Standard Power
Speed in
nanoseconds
70V3389 1Mbit (64K x 18-Bit) 3.3V
Synchronous Dual-Port RAM
NOTES:
1 . Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2 Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
16
6.42
4832 drw 15A
.
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IDT70V3389S6PRF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3389S6PRF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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IDT70V3399S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)