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参数资料
| 型号： | IDT70V3399S133BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 2M（128K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3399S133BF8 |
HIGH-SPEED 3.3V
256/128K x 18
Features:
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3319/99S
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
– Self-timed write allows fast cycle time
access of the same memory location
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
◆
High-speed data access
matching compatibility
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
◆
◆
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply
◆
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
for core
– Due to limited pin count PL/ FT option is not supported
on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined
outputs only on each port.
◆
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
◆
◆
◆
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
◆
◆
◆
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-pin fine
pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the
128-pin TQFP package
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
UB L
LB L
UB R
LB R
FT /PIPE L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT /PIPE R
R/ W L
R/ W R
CE 0L
CE 1L
1
0
B
W
B
W
B B
W W
1
0
CE 0R
CE 1R
0
1
1 0
1/0
L
L
R R
1/0
OE L
1b 0b 1a 0a
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
0a 1a 0b 1b
OE R
,
FT /PIPE L
0/1
ab
ba
0/1
FT /PIPE R
256K x 18
MEMORY
ARRAY
CLK L
A 17L(1)
I/O 0L - I/O 17L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 17R
A 17R(1)
CLK R
,
A 0L
REPEAT L
ADS L
CNTEN L
NOTE:
1. A 17 is a NC for IDT70V3399.
Counter/
Address
Reg.
TDI
TDO
ADDR_L
JTAG
ADDR_R
TCK
TMS
TRST
Counter/
Address
Reg.
A 0R
REPEAT R
ADS R
CNTEN R
5623 tbl 01
JANUARY 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5623/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMC60DTES | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| ASC49DTES | CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET |
| IDT70V3399S133BC8 | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
| IDT70V658S12BF8 | IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA |
| AMC49DTES | CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V3399S133BFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FPBGA |
| IDT70V3399S133BFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FPBGA |
| IDT70V3399S133BFI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3399S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3399S133PRF | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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