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参数资料
型号： IDT70V34TS20PFI
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： SRAM
英文描述： 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封装： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件页数： 1/25页
文件大小： 391K
代理商： IDT70V34TS20PFI
2004 Integrated Device Technology, Inc.
OCTOBER 2004
DSC-5624/5
1
Functional Block Diagram
IDT70V35/34S/L
IDT70V25/24S/L
HIGH-SPEED 3.3V
8/4K x 18 DUAL-PORT
8/4K x 16 DUAL-PORT
STATIC RAM
◆
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
◆
IDT70V35/34 (IDT70V25/24) easily expands data bus width
to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave select
when cascading more than one device
◆
M/
S = VIH for BUSY output flag on Master
M/
S = VIL for BUSY input on Slave
◆
BUSY and Interrupt Flag
◆
On-chip port arbitration logic
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆
Fully asynchronous operation from either port
◆
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆
Available in a 100-pin TQFP (IDT70V35/24) & (IDT70V25/24),
86-pin PGA (IDT70V25/24) and 84-pin PLCC (IDT70V25/24)
◆
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
NOTES:
1.
A12 is a NC for IDT70V34 and for IDT70V24.
2. (MASTER):
BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
3.
BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
4. I/O0x - I/O7x for IDT70V25/24.
5. I/O8x - I/O15x for IDT70V25/24.
Features
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆
High-speed access
IDT70V35/34
– Commercial: 15/20/25ns (max.)
– Industrial: 20ns
IDT70V25/24
– Commercial: 15/20/25/35/55ns (max.)
– Industrial: 20/25ns
◆
Low-power operation
– IDT70V35/34S
– IDT70V35/34L
Active: 430mW (typ.)
Active: 415mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
Standby: 660
W (typ.)
– IDT70V25/24S
–
IDT70V25/24L
Active: 400mW (typ.)
Active: 380mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
Standby: 660
W (typ.)
I/O
Control
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
Address
Decoder
I/O
Control
R/
WL
BUSYL
A12L(1)
A0L
5624 drw 01
UBL
LBL
CEL
OEL
I/O9L-I/O17L(5)
I/O0L-I/O8L(4)
CEL
OEL
R/
WL
SEML
INTL
M/
S
R/
WR
BUSYR
UBR
LBR
CER
OER
I/O9R-I/O17R(5)
I/O0R-I/O8R(4)
A12R(1)
A0R
R/
WR
SEMR
INTR
CER
OER
(3)
(2,3)
(3)
13
,
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PDF描述
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参数描述
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IDT70V3569S4BC8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V3569S4BFG 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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