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参数资料
| 型号： | IDT70V3569S6BFG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 6NS 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（16K x 36） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3569S6BFG 800-1394 |
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
Power
99
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
BF
DR
BC
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
208-pin fpBGA (BF-208)
208-pin PQFP (DR-208)
256-pin BGA (BC-256)
4
5
6
S
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial Only
Standard Power
Speed in nanoseconds
70V3569 576Kbit (16K x 36-Bit) 3.3V Synchronous Dual-Port RAM
4831 drw 15
NOTES:
1. Contact your local sales office for Industrial temp range in other speeds, packages and powers.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History
1/8/99:
3/12/99:
4/28/99:
6/8/99:
Initial Public Release
Added fpBGA package
Fixed typo on page 10
Changed drawing format
Page 2 Changed package body dimensions
Page 3 Fixed typo
6/15/99:
8/4/99:
Page 5
Page 2
Deleted note 6 for Table II
Fixed typographical error
Page 6 Improved power number
10/14/99:
10/19/99:
11/12/99:
4/10/00:
Upgraded speed to 133MHz, added 2.5V I/O capability
Page 4 Corrected I/O numbers in Truth Table I
Replaced IDT logo
Added new BGA packages, added full 2.5V interface capability
Continued on page 17
16
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V356S12DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 12NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3579S4BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V3579S4BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 4NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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