参数资料
型号: IDT70V3579S5BFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(32K x 36)
速度: 5ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70V3579S5BFI
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2.5V
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3 . 0V/GND to 2.35V
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V/GND to 2.35V
3ns
1.5V/1.25V
DATA OUT
833 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V/1.25V
Figures 1, 2, and 3
770 ?
5pF*
4830 tbl 10
,
3.3V
590 ?
DATA OUT
50 ?
50 ?
10pF
(Tester)
1.5V/1.25
4830 drw 03
,
DATA OUT
435 ?
5pF*
Figure 1. AC Output Test load.
7
6
5
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
4830 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
,
? tCD
4
(Typical, ns) 3
2
?
1
?
20.5
?
30
?
50
80
100
200
,
-1
Capacitance (pF)
4830 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
9
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V3579S5BCI IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
IDT70V3579S5BCGI IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
IDT70V3389S5PRF IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
IDT70V3389S5BFI IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208FBGA
IDT70V3389S5BCI IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V3579S5BFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3579S5DR 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3579S5DRI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3579S6BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3579S6BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8