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参数资料
| 型号： | IDT70V3599S133DR |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3599S133DR |
IDT70V3599/89S
High-Speed 3.3V 128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
5617 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V3599/89S
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
V OH (3.3V)
Parameter
(1)
(1)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
V OL (2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
8
6.42
5617 tbl 08
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