参数资料
型号: IDT70V35L20PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 20/25页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 144K(8K x 18)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V35L20PFI
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
(2)
(3)
t AS
t WR
(4)
CE "A"
R/ W "A"
t INS (3)
INT "B"
5624 drw 17
t RC
ADDR "B"
CE "B"
OE "B"
t AS (3)
t INR
(3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
I NT "B"
5624 drw 18
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. See Interrupt Flag Truth Table III.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
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6.42
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