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参数资料
| 型号： | IDT70V35S25PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V35S25PF8 |
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3,4) (con't)
06/11/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
63
61
60
58
55
54
51
48
46
45
42
11
10
I/O 7L
66
I/O 10L
I/O 5L
64
I/O 8L
I/O 4L
62
I/O 6L
I/O 2L
59
I/O 3L
I/O 0L
56
I/O 1L
OE L
49
UB L
SEM L
50
CE L
LB L
47
A 12L(1)
A 11L
44
A 9L
A 10L
43
A 8L
A 7L
40
A 5L
67
65
57
53
52
41
39
09
I/O 11L
I/O 9L
V SS
V DD
R/ W L
A 6L
A 4L
69
68
38
37
08
I/O 13L
I/O 12L
A 3L
A 2L
72
71
73
33
35
34
07
I/O 15L
I/O 14L
V DD
BUSY L
A 0L
INT L
06
05
75
I/O 0R
76
I/O 1R
70
V SS
77
I/O 2R
74
V SS
78
V DD
IDT70V25/24
G
G84-3 (4)
84-Pin PGA
Top View (5)
32
V SS
28
A 0R
31
M/ S
29
INT R
36
A 1L
30
BUSY R
79
80
26
27
04
I/O 3R
I/O 4R
A 2R
A 1R
81
83
7
11
12
23
25
03
I/O 5R
I/O 7R
V SS
V SS
SEM R
A 5R
A 3R
82
1
2
5
8
10
14
17
20
22
24
02
01
I/O 6R
84
I/O 8R
A
I/O 9R
3
I/O 11R
B
I/O 10R
4
I/O 12R
C
I/O 13R
6
I/O 14R
D
I/O 15R
9
OE R
E
R/ W R
15
LB R
F
UB R
13
CE R
G
A 11R
16
A 12R(1)
H
A 8R
18
A 10R
J
A 6R
19
A 9R
K
A 4R
21
A 7R
L
Index
NOTES:
1. A 12 is a NC for IDT70V24.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. G84-3 package body is approximately 1.12 in x 1.12 in x .16 in.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part marking.
6.42
5624 drw 04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HSC22DTEF | CONN EDGECARD 44POS .100 EYELET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V37L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V37L15PFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V37L20PF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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