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参数资料
| 型号： | IDT70V525ML55BZGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V525ML55BZGI |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Preliminary
Industrial Temperature Range
Timing Waveform of Write Cycle No. 1, R/ W Controlled Timing (5)
t WC
ADDRESS
t AS (6)
CE or BE x
t AW
t WR (3)
R/ W
t WP (2)
t HZ
(7)
DATA OUT
t LZ
(4)
t WZ (7)
t DW
t OW
t DH
(4)
t HZ (7)
DATA IN
5681 drw 09
Timing Waveform of Write Cycle No. 2, CE Controlled Timing (1,5)
t WC
ADDRESS
CE or BE x
t AW
t AS
t EW
R/ W
(6)
(2)
(3)
t WR
NOTES:
DATA IN
t DW
t DH
5681 drw 10
,
1. R/ W or CE (or BE x) = V IH during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap (t EW or t WP ) of a CE (or BE x) = V IL and a R/ W = V IL .
3. t WR is measured from the earlier of CE (or BE x) or R/ W = V IH to the end of write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
5. If the CE (or BE x) LOW transition occurs simultaneously with or after the R/ W = V IL transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timing depends on which enable signal is asserted last, CE (or BE x) or R/ W .
7. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 3). This parameter is guaranteed but is not production tested.
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM44DSEN | CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET |
| FMM44DSEH | CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET |
| IDT70P525ML55BZI | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| IDT70P525ML55BZGI | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| FMM44DRKN | CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V525ML55BZI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V525ML55BZI8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V5378S100BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5378S100BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5378S100BG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 272BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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