- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3943 > IDT70V5378S166BGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 576KBIT 166MHZ 272BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V5378S166BGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 166MHZ 272BGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 272-BBGA |
| 供应商设备封装： | 272-PBGA（27x27） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V5378S166BGI8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页
IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
CE 1
t SC
t SB
t HC
t HB
LB , UB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
DATA OUT
(1)
t CD2
Qn
t OHZ
(4)
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ
t CD2
Qn + 4
OE
READ
WRITE
READ
5649 drw 12
,
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CNTLD = V IL ; CNTINC , CNTRST , MRST , MKLD , MKRD and CNTRD = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since CNTLD = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK;
numbers are for reference use only.
4. This timing does not meet requirements for fastest speed grade. This waveform indicates how logically it could be done if timing so allows.
Timing Waveform of Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
An
t SCLD t HCLD
CNTLD
t SCLD t HCLD
CNTINC
t CD2
t SCLD t HCLD
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
,
t DC
NOTES:
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5649 drw 13
1. CE 0 , LB and UB = V IL ; CE 1 , CNTRST , MRST , MKLD , MKRD and CNTRD = V IH .
2. If there is no address change via CNTLD = V IL (loading a new address) or CNTINC = V IL (advancing the address), i.e. CNTLD = V IH and CNTINC = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMPC8313VRAGDB | IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA |
| IDT70V5378S200BG | IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA |
| KMPC8313VRAFFB | IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA |
| IDT70T653MS12BCI8 | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70V5378S200BC | IC SRAM 576KBIT 200MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V5378S200BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5378S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5378S200BG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5378S200BG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S100BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 256-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。