- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3946 > IDT70V5378S200BG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V5378S200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 272-BBGA |
| 供应商设备封装： | 272-PBGA（27x27） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V5378S200BG8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页
IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
Unit
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z )
& Industrial
Symbol
Parameter
Conditions (2)
Max.
Unit
V TERM(2)
Terminal Voltage
-0.5 to +4.6
V
C IN
Input Capacitance
V IN = 3dV
8
pF
with Respect to GND
C OUT (3)
Output Capacitance
V OUT = 3dV
10.5
pF
T BIAS(3)
T STG
T JN
Temperature Under Bias
Storage Temperature
Junction Temperature
-55 to +125
-65 to +150
+150
o
o
o
C
C
C
5649 tbl 09
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
I OUT
DC Output Current
50
mA
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
5623 tbl 06
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD + 150mV for more than 25% of the cycle time or
4ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 150mV.
3. Ambient Temperature under DC Bias. No AC conditions. Chip Deselected.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V5388/78S
Input Leakage Current
JTAG Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
(1)
Output Low Voltage
Output High Voltage
(1,2)
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DD, Outputs in tri-state mode
I OL = +4mA, V DD = Min.
I OH = -4mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
10
30
10
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V leakages are undefined.
2. Applicable only for TMS, TDI and TRST inputs.
9
6.42
5649 tbl 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMPC8313EZQADDB | IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA |
| IDT70V5388S133BG8 | IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 272BGA |
| IDT70T653MS10BC8 | IC SRAM 18MBIT 10NS 256BGA |
| KMPC8313EVRAFFB | IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA |
| IDT70T3539MS133BCI8 | IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V5388S100BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 256-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S100BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 256-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S100BG | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 272-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 272-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S133BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。