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参数资料
| 型号： | IDT70V5378S200BG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 272-BBGA |
| 供应商设备封装： | 272-PBGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V5378S200BG |
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IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3 . 0V
GND to 3.0V
2ns
1.5V
1.5V
Figure 1
5649 tbl 12
DATA OUT
50 ?
50 ?
1.5V
,
10pF
7
6
(Tester)
Figure 1. AC Output Test Load
*(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
5649 drw 05
? tCD
(Typical, ns)
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
? Capacitance (pF) from AC Test Load
5649 drw 07
Figure 2. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
11
6.42
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V5388S100BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 256-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V5388S100BG | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 100MHZ 272-BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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